Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTQ110N055P

IXTQ110N055P

更新时间： 2024-09-09 21:53:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	119K
描述
PolarHT Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ110N055P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	110 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ110N055P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 110N055P

IXTA 110N055P

IXTP 110N055P

V_DSS= 55 V

I_D25= 110 A

R_DS(on)= 13.5 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Tranisent

TO-220 (IXTP)

V_GSM

I_D25

I_DRMS

I_DM

T_C= 25°C

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

110

250

(TAB)

I_AR

T_C= 25°C

110

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

TO-263 (IXTA)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

330

(TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

Easy to mount

Space savings

High power density

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

13.5 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99182A(05/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTQ110N055P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP110N055P	IXYS	类似代替	PolarHT Power MOSFET

与IXTQ110N055P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ110N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ110N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ120N15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
IXTQ130N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

与IXTQ110N055P相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

69
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

60
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

92
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

104

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ110N055P

IXTQ110N055P 技术参数

IXTQ110N055P 数据手册

IXTQ110N055P 替代型号

与IXTQ110N055P相关器件

与IXTQ110N055P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ110N055P

IXTQ110N055P 技术参数

IXTQ110N055P 数据手册

IXTQ110N055P 替代型号

与IXTQ110N055P相关器件

与IXTQ110N055P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？