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IXTQ180N085T PDF预览

IXTQ180N085T

更新时间： 2024-09-30 21:16:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 194K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ180N085T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A最大漏极电流 (ID)：180 A
最大漏源导通电阻：0.0055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：430 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTQ180N085T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH180N085T  
IXTQ180N085T  
VDSS = 85  
ID25 = 180  
RDS(on) ≤ 5.5 m Ω  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
(TAB)  
D
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
85  
85  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
TO-3P (IXTQ)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25° C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
180  
75  
480  
A
A
A
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
1.0  
A
J
G
D
S
(TAB)  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC =25°C  
430  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
85  
V
V
2.0  
4.0  
- 42V Power Bus  
- ABS Systems  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
Systems  
High Current Switching  
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Note 1  
4.2  
5.5 m Ω  
Applications  
DS99701 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTQ180N085T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP180N085T IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor,
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 		TrenchT2TM Power MOSFET
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