生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ182N055T | IXYS |
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TrenchT2TM Power MOSFET | |
IXTQ182N055T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ18N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTQ18N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ200N06P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTQ200N075T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET | |
IXTQ200N10T | IXYS |
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TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTQ200N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ22N50P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET | |
IXTQ22N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |