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IXTQ24N55Q

更新时间： 2024-10-01 21:16:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	511K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ24N55Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ24N55Q 数据手册

Advanced Technical Information

IXTQ 24N55Q

V_DSS

I_D25

= 550 V

= 24 A

Power MOSFETs

Q-Class

R_DS(on)= 0.27 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-3P(IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

550

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

= Drain

S = Source TAB = Drain

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

400

^zIXYS advanced low Q_gprocess

^zLow gate charge and capacitances

- easier to drive

T_J

T_JM

T_stg

-55 to +150

150

-55 to +150

°C

- faster switching

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

^zRated for unclamped Inductive load

switching (UIS) rated

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Easy to mount

Space savings

min.

typ.

max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

550

2.5

High power density

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

100

V_DS= V

= 25°C

µA

V_GS= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

0.27

Ω

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99079(08/03)

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