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IXTQ182N055T

更新时间： 2024-01-31 05:55:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	172K
描述
TrenchT2TM Power MOSFET

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IXTQ182N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	182 A
最大漏源导通电阻：	0.005 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	490 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ182N055T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMPower

MOSFET

V_DSS= 55V

I_D25= 260A

R_DS(on)≤ 3.3mΩ

IXTH260N055T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

(TAB)

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

260

160

780

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

I_A

T_C= 25°C

100

600

480

E_AS

P_D

Features

^zInternational standard package

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

^zAvalanche rated

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Low R_DS(on)

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

Easy to mount

Space savings

High power density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Automotive

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

- Motor Drives

- 12V Battery

- ABS Systems

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

2.0

4.0

±200 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

High Current Switching Applications

T_J= 150°C

150 μA

3.3 mΩ

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50A, Notes 1, 2

DS100078(11/08)

12 3 4 5 6

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IXTQ182N055T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA182N055T	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH182N055T	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP182N055T	IXYS	功能相似	TrenchMVâ¢ Power MOSFET

与IXTQ182N055T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ18N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ200N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ200N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET
IXTQ200N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ200N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ22N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ22N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ22N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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