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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTH182N055T
IXTH182N055T PDF预览

IXTH182N055T

更新时间： 2024-11-20 12:31:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 217K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH182N055T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：182 A
最大漏源导通电阻：0.005 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：490 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTH182N055T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH182N055T  
IXTQ182N055T  
VDSS = 55  
ID25 = 182  
RDS(on) ≤ 5.0 m Ω  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
(TAB)  
D
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
TO-3P (IXTQ)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25° C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
182  
75  
490  
A
A
A
S
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
1.0  
A
J
G
D
S
(TAB)  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TC =25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
55  
V
V
ꢀ
2.0  
4.0  
Applications  
ꢀ
Automotive  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
TJ = 150° C  
- ABS Systems  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID =25 A, Notes 1, 2  
3.5  
5.0 m Ω  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching  
ꢀ
ꢀ
Applications  
DS99682 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
123456

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IXTH182N055T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTA182N055T IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP182N055T IXYS

类似代替

 TrenchMV™ Power MOSFET
IXTQ182N055T IXYS

功能相似

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