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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH19P15 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH19P20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH1N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTH1N170DHV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N170DHV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N200P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N200P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N200P3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N200P3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH1N250 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 2500V, 40ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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