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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.93 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 550 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 500 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTV200N10TS | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXTV200N10T | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXTQ200N10T | IXYS |
类似代替 |
TrenchMVTM Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH20N50D | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTH20N50D | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTH20N55 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH20N55MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH20N55MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH20N60 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET |
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| IXTH20N60 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH20N60MA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
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| IXTH20N60MB | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247(5) |
|
| IXTH20N65X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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