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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 550 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 500 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH200N10T | IXYS |
类似代替  |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| IXFP180N10T2 | IXYS |
功能相似 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFA180N10T2 | IXYS |
功能相似 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTV200N10TS | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXTV22N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTV22N50PS | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTV22N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTV22N60PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTV230N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTV230N085TS | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD |
|
| IXTV250N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTV250N075TS | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTV26N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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