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IXTV36N50PS

更新时间： 2024-01-07 14:11:56

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PolarHV Power MOSFET

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IXTV36N50PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTV36N50PS 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH 36N50P

IXTQ 36N50P

IXTT 36N50P

IXTV 36N50P

IXTV 36N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 36 A

R_DS(on)≤ 170 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

108

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

(TAB)

TO-268 (IXTT)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 3 Ω

V/ns

T_C=25° C

540

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220 (IXTV)

M_d

Mounting torque(TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

20..120/4.5..15

N/lb

D (TAB)

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220

TO-3P

PLUS220 SMD(IXTV..S)

5.5

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

D (TAB)

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

3.0

5.0

100

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

170 mΩ

DS99228E(01/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV5N50P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
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IXTV96N25T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTX102N65X2	LITTELFUSE	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的	获取价格
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