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IXTV250N075T

更新时间： 2024-01-18 10:50:04

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220, 3 PIN

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IXTV250N075T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	250 A
最大漏源导通电阻：	0.004 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	560 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV250N075T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTV250N075T

IXTV250N075TS

V_DSS= 75

I_D25= 250

R_DS(on)≤ 4.0 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

PLUS220 (IXTV)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

D (TAB)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C=25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

250

560

PLUS220SMD (IXTV_S)

I_AR

E_AS

T_C=25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 3.3 Ω

V/ns

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

T_C= 25° C

550

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 ° C Operating Temperature

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

F_C

Mounting force (PLUS220)

11...65 /2.5...15

N/lb.

Weight

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

High power density

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

Automotive

(T_J= 25° C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

ꢀ

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

2.0

4.0

- ABS Systems

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

V_GS

20 V, V_DS= 0 V

200

ꢀ

Systems

High Current Switching

Applications

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

ꢀ

T_J= 150° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A, Notes 1, 2

3.3

4.0 m Ω

DS99696(11/06)

12 3 4 5

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与IXTV250N075T相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV250N075TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV26N50P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV26N50P	LITTELFUSE	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡	获取价格
IXTV26N60P	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV26N60PS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IXTV270N055T2	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 55V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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