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IXTV26N50P PDF预览

IXTV26N50P

更新时间： 2024-11-05 19:44:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 335K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220, 3 PIN

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IXTV26N50P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：PLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1000 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：26 A最大漏源导通电阻：0.23 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：78 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTV26N50P 数据手册

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IXTQ 26N50P  
IXTT 26N50P  
IXTV 26N50P  
IXTV 26N50PS  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
=
=
≤
500  
26  
230 mΩ  
V
A
PolarHVTM  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-3P (IXTQ)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
D
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 150° C  
500  
500  
V
V
D (TAB)  
TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 MΩ  
TO-268 (IXTT)  
VGSS  
VGSM  
Continuos  
Transient  
30  
40  
V
V
ID25  
IDM  
TC =25° C  
26  
78  
A
A
G
S
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
D (TAB)  
IAR  
TC =25° C  
26  
A
PLUS220 (IXTV)  
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
40  
mJ  
J
1.0  
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
G
D
S
D (TAB)  
TC =25° C  
400  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
PLUS220SMD (IXTV_S)  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
G
S
Md  
Mounting torque  
(TO-3P)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
D (TAB)  
Weight  
TO-3P  
TO-268  
PLUS220 & PLUS220SMD  
6
5.5  
5
g
g
g
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
l
l
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
500  
V
V
3.0  
5.5  
l
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
Advantages  
TJ = 125° C  
l
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
230 mΩ  
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
l
l
DS99206E(12/05)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
12345

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IXTV26N50P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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