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IXTV22N50PS

更新时间： 2024-11-05 20:48:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXTV22N50PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	350 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV22N50PS 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXTH 22N50P

IXTQ 22N50P

IXTV 22N50P

IXTV 22N50PS

V_DSS= 500 V

I_D25= 22 A

R_DS(on)≤ 270 mΩ

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

PLUS220 (IXTV)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

350

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

PLUS220SMD (IXTV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

5.5

PLUS220 & PLUS220SMD

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

3.0

5.5

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

270 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99351E(03/06)

12 3 4 5

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IXTV22N50PS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH22N50P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IXTV22N50PS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTV22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV22N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTV230N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 85V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTV230N085TS	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220SMD
IXTV250N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTV250N075TS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTV26N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTV26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV26N60PS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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