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IXTV30N50P

更新时间： 2024-02-18 20:00:11

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描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTV30N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500 V

I_D25= 30 A

R_DS(on)≤ 200 mΩ

IXTH 30N50P

IXTQ 30N50P

IXTT 30N50P

IXTV 30N50P

IXTV 30N50PS

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 AD (IXTH)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

500

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.2

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 5 Ω

V/ns

(TAB)

PLUS220 (IXTV)

T_C=25° C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220 SMD(IXTV..S)

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)

1.13/10 Nm/lb.in.

11 65/2.5 15 N/lb.

F_C^d

Weight

PLUS220, PLUS220SMD

5.5

TO-268

TO-3P

TO-247

(TAB)

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

Features

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

500

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

3.0

5.0

100

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

Advantages

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

165

200

mΩ

High power density

DS99415E(04/06)

12 3 4 5

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IXTV30N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV30N50PS	IXYS	完全替代	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFV30N50P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH30N50P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

与IXTV30N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTV30N50PS	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV30N60PS	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTV36N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTV36N50PS	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTV5N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTV86N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTV96N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTV96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTX102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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