Datasheet > IXTV26N60PS

IXTV26N60PS

更新时间： 2024-02-04 00:05:53

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	236K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220SMD, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTV26N60PS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS220SMD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTV26N60PS 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH26N60P

IXTQ26N60P

IXTT26N60P

IXTV26N60P

IXTV26N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 26

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

1.2

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

PLUS220 (IXTV)

P_D

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220SMD (IXTV_S)

M_d

Mounting torque (TO-3P&TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

TO-3P

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

6.0

5.0

4.0

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

^zFast Recovery diode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0 V

600

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

3.0

5.0

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

250

Advantages

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

270 mΩ

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99376E(12/06)

12 3 4 5

下载PDF

与IXTV26N60PS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXTV270N055T2	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 55V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV270N055T2S	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 55V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IXTV280N055T	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 55V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTV280N055TS	IXYS	Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 55V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M	获取价格
IXTV30N50P	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格
IXTV30N50PS	IXYS	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTV26N60PS

IXTV26N60PS 技术参数

IXTV26N60PS 数据手册

与IXTV26N60PS相关器件

与IXTV26N60PS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTV26N60PS

IXTV26N60PS 技术参数

IXTV26N60PS 数据手册

与IXTV26N60PS相关器件

与IXTV26N60PS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？