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IXTX120N25P

更新时间： 2024-01-07 21:37:28

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	108K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 250V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247, 3 PIN

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IXTX120N25P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTX120N25P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 250 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 24 mΩ

IXTK 120N25P

IXTX 120N25P

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

250

V_GSM

TO-264(SP) (IXTK)

I_D25

T_C= 25°C

120

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

300

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

2.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C= 25°C

700

PLUS247

(IXGX)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

(TAB)

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-264

PLUS247

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 500µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

250

2.5

5.0

200

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

24 mΩ

High power density

DS99175A(04/05)

12 3 4 5

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