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IXTV280N055TS

更新时间： 2024-11-25 15:45:43
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 285K
描述
Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 55V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS220SMD, 3 PIN

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IXTV280N055TS 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：280 A最大漏源导通电阻：0.0032 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTV280N055TS 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTV 280N055T  
IXTV 280N055TS  
VDSS = 55  
ID25 = 280  
RDS(on) ≤ 3.2 m Ω  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
PLUS220 (IXTV)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
VGSM  
Transient  
20  
V
G
D
D (TAB)  
S
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC =25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
280  
75  
600  
A
A
A
PLUS220SMD (IXTV_S)  
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC =25°C  
40  
1.5  
A
J
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 3.3 Ω  
3
V/ns  
G
S
D (TAB)  
D = Drain  
TAB = Drain  
G = Gate  
S = Source  
TC = 25° C  
550  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Mounting force (PLUS220)  
11...65 /2.5...15  
3
N/lb.  
g
Weight  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
Automotive  
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
55  
V
V
2.0  
4.0  
- ABS Systems  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching  
Applications  
ꢀ
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
ꢀ
TJ = 150° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 50 A, Notes 1, 2  
2.6  
3.2 m Ω  
DS99687(11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTV280N055TS 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP260N055T2 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH260N055T2 IXYS

功能相似

 TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA260N055T2-7 IXYS

功能相似

 Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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