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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 50 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTK20N150 | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTX210P10T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX22N100L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1000V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTX22N100L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX240N075L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX240N075L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX24N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX24N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTX32P60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX3N250L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTX400N15X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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