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IXTX40P50P

更新时间： 2024-11-05 21:12:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	124K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTX40P50P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
Base Number Matches：	1

IXTX40P50P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 500V

I_D25= - 40A

IXTK40P50P

IXTX40P50P

R_DS(on)



230m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 500

V_DGR

PLUS247 (IXTX)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 40

- 120

I_A

T_C= 25C

- 40

3.5

Tab

E_AS

G = Gate

S = Source

= Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

Tab = Drain

890

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^International Standard Packages

^Rugged PolarP^TMProcess

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Force (PLUS247)

Mounting Torque (TO-264)

20..120/4.5..27

1.13/10

N/lb

Nm/lb.in

^Fast Intrinsic Diode

^Low Package Inductance

Weight

PLUS247

TO-264

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 500

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

- 4.5



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment



100 nA



I_DSS

- 50 A



T_J= 125C

- 250 A



Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

230 m

DS99935D(6/15)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTX46N50L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX4N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTX550N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTX550N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX5N250	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTX600N04T2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTX600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTX60N50L2	IXYS	获取价格	LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA
IXTX60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTX6N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路

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