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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, PLUS247, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 550 A | 最大漏极电流 (ID)： | 550 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1375 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTK550N055T2 | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 550A I(D), 55V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTX5N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX600N04T2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXTX600N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTX60N50L2 | IXYS |
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LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA |
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| IXTX60N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTX6N200P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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| IXTX80N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTX8N150L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTX8N150L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTX90N25L2 | IXYS |
获取价格 |
LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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