Datasheet > IXTY02N50D

IXTY02N50D

更新时间： 2024-11-05 03:13:07

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY02N50D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	30 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY02N50D 数据手册

IXTP 02N50D

IXTU 02N50D

IXTY 02N50D

V_DSS= 500 V

I_D25= 200 mA

R_DS(on)= 30 Ω

High Voltage MOSFET

N-Channel, Depletion Mode

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSX

V_DGX

T_J= 25°C to 150°C

500

V_GS

Continuous

Transient

± 20

± 30

D (TAB)

V_GSM

I_DSS

I_DM

T_C= 25°C; T_J= 25°C to 150°C

200

800

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

TO-251 (IXTU)

P_D

T_C= 25°C

T_A= 25°C

1.1

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

D (TAB)

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s (IXTU)

300

°C

T_ISOL

M_d

TO-252 (IXTY)

Mounting torque

TO-220

1.3 / 10 Nm/lb.

Weight

TO-220

TO-251

TO-252

0.8

D (TAB)

Pins: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source TAB - Drain

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

min. typ. max.

Features

^zNormally ON mode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zFast switching speed

V_DSX

V_GS(off)

V_GS= -10 V, I_D= 25 μA

V_DS= 25V, I_D= 25 μA

500

-2.5

-5

I_GSS

V_GS= ± 20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Applications

I_DSX(off)

V_DS= V_DSS,V_GS= -10 V

10 μA

T_J= 125°C

Note 1

250 μA

Level shifting

Triggers

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0 V, I_D= 50 mA

V_GS= 0 V, V_DS= 25V

Solid state relays

Note 1

250

Current regulators

98861A (01/06)

中文翻译

下载PDF

IXTY02N50D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP02N50D	LITTELFUSE	功能相似	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP02N50D	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTU02N50D	IXYS	功能相似	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

与IXTY02N50D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY03N90PHV	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY05N100	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTY05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTY08N100D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTY08N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTY08N100D2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY08N100P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY08N100P_V01	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
IXTY08N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTY02N50D相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY02N50D

IXTY02N50D 技术参数

IXTY02N50D 数据手册

IXTY02N50D 替代型号

与IXTY02N50D相关器件

与IXTY02N50D相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY02N50D

IXTY02N50D 技术参数

IXTY02N50D 数据手册

IXTY02N50D 替代型号

与IXTY02N50D相关器件

与IXTY02N50D相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？