生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | TO-252, 3 PIN | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.35 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252AA | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 83 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP10P15T | IXYS |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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IXTY12N06T | LITTELFUSE |
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IXTY12N06TTRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTY14N60X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY15P15T | LITTELFUSE |
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IXTY18P10T | LITTELFUSE |
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IXTY1N100P | IXYS |
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IXTY1N100P | LITTELFUSE |
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