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IXTY10P15T

更新时间： 2024-11-20 19:53:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, 3 PIN

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IXTY10P15T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	TO-252, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY10P15T 数据手册

Advance Technical Information

TrenchP^TM

Power MOSFET

V_DSS= -150V

I_D25= -10A

IXTY10P15T

IXTA10P15T

IXTP10P15T

R_DS(on)

≤

350mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-252 (IXTY)

D (Tab)

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

-150

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

+ 15

+ 25

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

-10

TO-220AB (IXTP)

- 30

I_A

E_AS

T_C= 25°C

-10

200

P_D

T_C= 25°C

D (Tab)

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

-150

- 2.0

- 4.5

Applications

±50 nA

I_DSS

- 3 μA

-100 μA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

350 mΩ

DS100290(10/10)

12 3 4 5 6

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IXTY10P15T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP10P15T	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTY10P15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY12N06T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY12N06T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY12N06TTRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY14N60X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY15P15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY18P10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTY18P10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY18P10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY1N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY1N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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