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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTY12N06T | IXYS |
完全替代  |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTY14N60X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTY15P15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY18P10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTY18P10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY18P10T-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY1N100P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1000V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IXTY1N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTY1N100P-TRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTY1N120P | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
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| IXTY1N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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