Datasheet > IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

更新时间： 2024-11-17 23:13:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	119K
描述
PolarHV Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY1R6N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	75 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	1.6 A
最大漏源导通电阻：	6.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2.5 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY1R6N50P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTP 1R6N50P

IXTY 1R6N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 1.6 A

R_DS(on)≤ 6.5

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-252 (IXTY)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

500

TAB

Continuous

Transient

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

1.6

2.5

TO-220 (IXTP)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.6

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 50 Ω

V/ns

(TAB)

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s

Maximum tab temperature for soldering

TO-252 package for 10s

300

260

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque (TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-220

0.8

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

Space savings

High power density

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

6.5

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99441(09/05)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

IXTY1R6N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP1R6N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET

与IXTY1R6N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY26P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTY2N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTY2N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1000V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTY2N100P-TRL	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY2N60P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTY2N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY2N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY2N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTY2P50PA	LITTELFUSE	获取价格	IXTY2P50PA是一款通过AEC-Q101认证并符合PPAP要求的-500 V、-2

与IXTY1R6N50P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P 技术参数

IXTY1R6N50P 数据手册

IXTY1R6N50P 替代型号

与IXTY1R6N50P相关器件

与IXTY1R6N50P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P 技术参数

IXTY1R6N50P 数据手册

IXTY1R6N50P 替代型号

与IXTY1R6N50P相关器件

与IXTY1R6N50P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？