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IXTY4N65X2

更新时间： 2024-11-06 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅二极管栅极
页数	文件大小	规格书
6页	340K
描述
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的dv/dt性能。其雪崩能力也增强了器件的强度。此外，借助快速软恢复体二极管，超级结MOSFET有助于

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X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 4A

R_DS(on) 850m

IXTY4N65X2

IXTA4N65X2

IXTP4N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

TO-263 (IXTA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

S = Source

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

100 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

850 m



Robotics and Servo Controls

DS100648D(6/18)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY4N65X2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY50N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTY5N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY64N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY64N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTY8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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