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IXTY3N50P

更新时间： 2024-11-05 03:12:55

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5页	237K
描述
PolarHV Power MOSFET

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IXTY3N50P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.63
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTY3N50P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTA 3N50P

IXTP 3N50P

IXTY 3N50P

V_DSS= 500 V

I_D25= 3.6 A

R_DS(on)≤ 2.0 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

V_DSS

V_DGR

Test Conditions

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

500

V_GSS

V_GSM

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

3.6

TO-263 (IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C=25° C

180

TO-252 (IXTY)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 20 Ω

V/ns

(TAB)

T_C=25° C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

TO-252

0.8

Features

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 50µA

500

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

Space savings

V_GS

30 V_DC, V_DS= 0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

High power density

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

2.0

Ω

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99200E(12/05)

12 3 4 5

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IXTY3N50P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP3N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET
IXTA3N50P	IXYS	类似代替	PolarHV Power MOSFET

与IXTY3N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY3N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTY3N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY44N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTY44N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTY44N10T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTY48P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTY4N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY4N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY4N65X2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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