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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 306K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.71 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY44N10T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY48P05T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IXTY48P05T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTY4N65X2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY4N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY4N65X2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTY4N70X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY50N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTY55N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTY55N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 |