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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 251K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTY8N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY8N70X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXTY90N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTZ20N60MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | Z-PAC | |
IXTZ20N60MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 20A I(D) | Z-PAC | |
IXTZ24N50MA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | Z-PAC | |
IXTZ24N50MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 24A I(D) | Z-PAC | |
IXTZ27N40MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTZ27N40MB | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTZ35N25MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |