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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | HIGH VOLTAGE HIGH POWER | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1600 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 200 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 6300 V |
| 最大反向电流： | 30000 µA | 最大反向恢复时间： | 1 µs |
| 反向测试电压： | 6500 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM200DY1-24S | MITSUBISHI |
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二极管模块 交流开关二极管 RM200DY1-24S |
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| RM200HA-20F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| RM200HA-24F | MITSUBISHI |
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HIGH SPEED SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| RM200HA-40F | MITSUBISHI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon, |
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| RM200N120HD | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM200N120T2 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM200N120T7 | RECTRON |
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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge ( |
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| RM200N40DF | RECTRON |
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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM200N40DFV | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
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| RM200N85HD | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n |
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