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RM200DG-130S

更新时间: 2024-12-03 07:03:47
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三菱 - MITSUBISHI 整流二极管开关测试高压局域网高压大电源高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 75K
描述
HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

RM200DG-130S 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.71
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:HIGH VOLTAGE HIGH POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-XUFM-X4
最大非重复峰值正向电流:1600 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:200 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:6300 V
最大反向电流:30000 µA最大反向恢复时间:1 µs
反向测试电压:6500 V子类别:Other Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

RM200DG-130S 数据手册

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MITSUBISHI HIGH VOLTAGE DIODE MODULE  
RM200DG-130S  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
High Voltage Diode Module  
RM200DG-130S  
IF ...................................................................200A  
VRRM ...................................................... 6500V  
High Insulated Type  
2-element in a Pack  
AISiC Baseplate  
APPLICATION  
Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
130 0.5  
4-M8 NUTS  
57 0.25  
57 0.25  
40.4 0.5  
4
3
2
1
4
(K)  
2
(K)  
>PET+PBT<  
3
(A)  
1
(A)  
CIRCUIT DIAGRAM  
34.4 0.5  
6-φ7 MOUNTING HOLES  
61.2 0.5  
16.5 0.3  
Screwing depth  
min. 16.5  
High Voltage Diode Module  
May 2009  

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200A, 2000V V(RRM), Silicon,
RM200N120HD RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T2 RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N120T7 RECTRON

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Vdss (V) : 120 V;Id @ 25C (A) : 197 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (
RM200N40DF RECTRON

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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N40DFV RECTRON

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Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 0.9 mOhms;Total Gate Charge (n
RM200N85HD RECTRON

获取价格

Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 200 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.4 mOhms;Total Gate Charge (n