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CM400DU-5F

更新时间: 2024-12-03 03:25:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM400DU-5F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:7
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.23Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:250 V配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X7
元件数量:2端子数量:7
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):890 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.7 V
Base Number Matches:1

CM400DU-5F 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM400DU-5F  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM400DU-5F  
¡IC ...................................................................400A  
¡VCES ............................................................250V  
¡Insulated Type  
¡2-elements in a pack  
APPLICATION  
DC choper, Inverters for battery source  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
Tc measured point  
108  
0.25  
93  
14  
14  
14  
C2E1  
E2  
C1  
CM  
CIRCUIT DIAGRAM  
C2E1  
E2  
C1  
25  
3-M6 NUTS  
4-φ6. 5 MOUNTING HOLES  
25  
7
21.5  
2.5  
2.8  
4
0.5  
0.5  
0.5  
18  
7
18  
18  
0.5  
LABEL  
Mar. 2002  

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