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CM400DU-5F

更新时间： 2024-11-17 03:25:51

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	73K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

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CM400DU-5F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	400 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	890 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	1.7 V
Base Number Matches：	1

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM400DU-5F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM400DU-5F

¡IC ...................................................................400A

¡VCES ............................................................250V

¡Insulated Type

¡2-elements in a pack

APPLICATION

DC choper, Inverters for battery source

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

Tc measured point

108

0.25

C2E1

CIRCUIT DIAGRAM

C2E1

3-M6 NUTS

4-φ6. 5 MOUNTING HOLES

21.5

2.5

2.8

0.5

LABEL

Mar. 2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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