Datasheet > IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

更新时间： 2024-11-06 06:51:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	257K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTY4N65X2 数据手册

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 4A

R_DS(on) 850m

IXTY4N65X2

IXTA4N65X2

IXTP4N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

TO-263 (IXTA)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

I_A

T_C= 25C

E_AS

150

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

S = Source

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-252

TO-263

TO-220

0.35

2.50

3.00

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

100 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

850 m



Robotics and Servo Controls

DS100648D(6/18)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTY4N65X2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTY4N65X2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTY4N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTY50N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY55N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTY5N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
IXTY5N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTY64N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTY64N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTY8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

与IXTY4N65X2相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 数据手册

与IXTY4N65X2相关器件

与IXTY4N65X2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 数据手册

与IXTY4N65X2相关器件

与IXTY4N65X2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？