5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXUC100N055 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXUC120N10 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXUC160N075 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET |
|
| IXUC200N055 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXUC60N10 | IXYS |
获取价格 |
Trench Power MOSFET ISOPLUS220-TM |
|
| IXUN280N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXUN350N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 350A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXUV170N075 | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXUV170N075S | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXWW11-AL | IXYS |
获取价格 |
Silicon Chip Resistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
