Datasheet > IXXA50N60B3

IXXA50N60B3

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	307K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXA50N60B3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

IXXA50N60B3 数据手册

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXA50N60B3

IXXP50N60B3

IXXH50N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 1.80V

TO-263 (IXXA)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

C (Tab)

TO-220 (IXXP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

120

TO-247 (IXXH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

μs

C (Tab)

(RBSOA)

@V_CE V_CES

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 22, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

^Optimized for 5-30kHz Switching

^Square RBSOA

^Avalanche Capability

-55 ... +175

^Short Circuit Capability

^International Standard Packages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Advantages

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

^Easy to Parallel

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Power Inverters

^UPS

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

6.0

25 A

2 mA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.55

1.80

DS100301C(8/13)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXXA50N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXAA1	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXAA3	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXAB1	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXAB3	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXBA1	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXBA3	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXBB1	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXBB3	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXCA1	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package
IXXCA3	MMD	获取价格	6.0mm x 3.5 mm 2 Pads Ceramic Package

与IXXA50N60B3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXA50N60B3

IXXA50N60B3 技术参数

IXXA50N60B3 数据手册

与IXXA50N60B3相关器件

与IXXA50N60B3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXA50N60B3

IXXA50N60B3 技术参数

IXXA50N60B3 数据手册

与IXXA50N60B3相关器件

与IXXA50N60B3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？