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IXXA50N60B3

更新时间： 2024-11-18 21:12:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AA, TO-263AA, 3 PIN

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IXXA50N60B3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	TO-263AA, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	120 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-263AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	320 ns
标称接通时间 (ton)：	75 ns	Base Number Matches：	1

IXXA50N60B3 数据手册

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXA50N60B3

IXXP50N60B3

IXXH50N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 1.80V

TO-263 (IXXA)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

C (Tab)

TO-220 (IXXP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

120

TO-247 (IXXH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

μs

C (Tab)

(RBSOA)

@V_CE V_CES

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 22, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

^Optimized for 5-30kHz Switching

^Square RBSOA

^Avalanche Capability

-55 ... +175

^Short Circuit Capability

^International Standard Packages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Advantages

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

^Easy to Parallel

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Power Inverters

^UPS

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

6.0

25 A

2 mA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.55

1.80

DS100301C(8/13)

12 3 4 5 6

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