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IXXH140N65B4

更新时间： 2024-09-15 14:56:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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Advance Technical Information  
XPTTM 650V  
GenX4TM  
IXXH140N65B4  
VCES = 650V  
IC110 = 140A  
VCE(sat)  1.90V  
tfi(typ) = 44ns  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 10-30kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
Tab  
E
IC25  
ILRMS  
IC110  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Terminal Current Limit  
TC = 110°C  
340  
160  
140  
A
A
A
G = Gate  
E
= Emitter  
C = Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
840  
A
SSOA  
(RBSOA)  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 4.7  
Clamped Inductive Load  
I
= 240  
A
VCCEMVCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 400V, TJ = 150°C  
10  
μs  
(SCSOA)  
RG = 10, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
1200  
W
Optimized for 10-30kHz Switching  
Square RBSOA  
Short Circuit Capability  
High Current Handling Capability  
International Standard Package  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in.  
g
Advantages  
Weight  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
10 μA  
mA  
±100 nA  
TJ = 150°C  
1
High Frequency Power Inverters  
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
VCE(sat)  
IC = 120A, VGE = 15V, Note 1  
TJ = 150°C  
1.55  
1.76  
1.90  
V
V
© 2016 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100741(8/16)  
1234567

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与IXXH140N65B4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH140N65C4 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH150N60C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60B3D1 IXYS

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 		XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/ Diode
IXXH30N60B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH30N60C3D1 LITTELFUSE

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IXXH50N60B3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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