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IXXH110N65B4

更新时间： 2024-09-15 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	696K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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IXXH110N65B4 数据手册

XPT^TM650V IGBT

GenX4^TM

IXXH110N65B4

V_CES= 650V

I_C110= 110A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 43ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Terminal Current Limit

T_C= 110°C

250

160

110

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

570

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

= 220

V_C^C_E^M V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

µs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

880



Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

International Standard Package

T_J

-55 ... +175

175

°C



T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

°C

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight



High Power Density



Low Gate Drive Requirement

Applications



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250µA, V_GE= 0V

I_C= 250µA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.5



10 µA



T_J= 150°C

500 µA



High Frequency Power Inverters

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 110A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.72

2.05

2.10

DS100745B(1/21)

12 3 4 5 6 7 8

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