Datasheet > IXXH30N60C3D1

IXXH30N60C3D1

更新时间： 2024-11-22 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	268K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXH30N60C3D1 数据手册

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 2.4V

t_fi(typ)= 32ns

IXXH30N60C3D1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

110

I_A

E_AS

T_C= 25°C

250

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

I_CM= 48

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

^Optimized for 20-60kHz Switching

^Square RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

^Anti-Parallel Ultra Fast Diode

^Avalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

270

^Short Circuit Capability

^International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Power Inverters

^UPS

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

^SMPS

6.0

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

100 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.85

2.30

2.40

DS100333C(9/15)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXXH30N60C3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXH30N65C4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH40N65C4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH50N60B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60B3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH50N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60C3	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH50N60C3D1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH60N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

与IXXH30N60C3D1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH30N60C3D1

IXXH30N60C3D1 数据手册

与IXXH30N60C3D1相关器件

与IXXH30N60C3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH30N60C3D1

IXXH30N60C3D1 数据手册

与IXXH30N60C3D1相关器件

与IXXH30N60C3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？