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IXXH30N60C3D1

更新时间： 2024-09-15 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	268K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXXH30N60C3D1 数据手册

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 2.4V

t_fi(typ)= 32ns

IXXH30N60C3D1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

110

I_A

E_AS

T_C= 25°C

250

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

I_CM= 48

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

^Optimized for 20-60kHz Switching

^Square RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

^Anti-Parallel Ultra Fast Diode

^Avalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

270

^Short Circuit Capability

^International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Power Inverters

^UPS

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

^SMPS

6.0

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

100 A

100 nA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.85

2.30

2.40

DS100333C(9/15)

12 3 4 5 6 7 8

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IXXH50N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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