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IXXH40N65C4D1

更新时间： 2024-11-19 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 260K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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Advance Technical Information  
XPTTM 650V IGBT  
GenX4TM w/Diode  
VCES = 650V  
IC110 = 40A  
VCE(sat)  2.3V  
tfi(typ) = 27ns  
IXXH40N65C4D1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 5-20 kHz Switching  
TO-247  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
G
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
C
Tab  
=
E
IC25  
IC110  
IF110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 110°C  
110  
40  
55  
A
A
A
G = Gate  
E = Emitter  
C
Collector  
Tab = Collector  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
215  
A
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 5  
ICM = 80  
A
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
@VCE VCES  
Features  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Optimized for 5-20kHz Switching  
Square RBSOA  
Anti-Parallel Diode  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
International Standard Package  
PC  
TC = 25°C  
455  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13/10  
6
Nm/lb.in  
g
High Power Density  
Extremely Rugged  
Low Gate Drive Requirement  
Weight  
Applications  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
4.0  
Typ.  
Max.  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.5  
25 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
1.5 mA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 40A, VGE = 15V, Note 1  
1.90  
2.24  
2.30  
V
V
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100823A(4/17)  
12345678

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与IXXH40N65C4D1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXH50N60B3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
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IXXH50N60B3D1 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH50N60C3 IXYS

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 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH50N60C3D1 IXYS

获取价格

 		Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH60N65B4H1 IXYS

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IXXH60N65B4H1 LITTELFUSE

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