Datasheet > IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1

更新时间： 2024-09-14 21:11:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	239K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXH50N60B3D1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	120 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	320 ns
标称接通时间 (ton)：	75 ns	Base Number Matches：	1

IXXH50N60B3D1 数据手册

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

IXXH50N60B3D1

V_CES= 600V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 1.80V

t_fi(typ)= 135ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30kHz Switching

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C( Chip Capability)

T_C= 110°C

120

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

I_CM= 100

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE V_CES

^Optimized for 5-30kHz Switching

^Square RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

^Anti-Parallel Ultra Fast Diode

^Avalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 22, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

600

^Short Circuit Capability

^International Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Power Inverters

^UPS

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Motor Drives

^SMPS

6.0

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

25 A

3 mA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.55

1.80

DS100302B(8/13)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXXH50N60B3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXH50N60C3	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH50N60C3D1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60 kHz Switching
IXXH50N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH60N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH60N65B4H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,
IXXH60N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH60N65C4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH75N60B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD

与IXXH50N60B3D1相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

1
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

1
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

81
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1 技术参数

IXXH50N60B3D1 数据手册

与IXXH50N60B3D1相关器件

与IXXH50N60B3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH50N60B3D1

IXXH50N60B3D1 技术参数

IXXH50N60B3D1 数据手册

与IXXH50N60B3D1相关器件

与IXXH50N60B3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？