Datasheet > IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1

更新时间： 2024-09-29 21:05:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	187K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXH75N60B3D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	TO-247AD, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.4	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	160 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	315 ns
标称接通时间 (ton)：	108 ns	Base Number Matches：	1

IXXH75N60B3D1 数据手册

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 600V

I_C110= 75A

V_CE(sat)≤ 1.85V

t_fi(typ)= 125ns

IXXH75N60B3D1

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

TO-247 AD

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Tab

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

160

G = Gate

E = Emitter

Collector

Tab = Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5Ω

I_CM= 150

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE≤ V_CES

^zOptimized for 5-30kHz Switching

^zSquare RBSOA

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

^zAnti-Parallel Ultra Fast Diode

^zAvalanche Capability

(SCSOA)

R_G= 22Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

750

^zShort Circuit Capability

^zInternational Standard Package

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Advantages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^zHigh Power Density

^z175°C Rated

^zExtremely Rugged

^zLow Gate Drive Requirement

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zPower Inverters

^zUPS

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zMotor Drives

^zSMPS

5.5

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

25 μA

3 mA

T_J= 150°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 60A, V_GE= 15V, Note 1

1.60

2.00

1.85

DS100328B(01/13)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXXH75N60B3D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXH75N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXH75N60C3D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXH75N60C3D1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IXXH80N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXH80N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXK100N60B3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching
IXXK100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N60C3H1	IXYS	获取价格	XPTTM 600V GenX3TM w/ Diode
IXXK100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXK100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IXXH75N60B3D1相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

27
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

23
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

22
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1 技术参数

IXXH75N60B3D1 数据手册

与IXXH75N60B3D1相关器件

与IXXH75N60B3D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1 技术参数

IXXH75N60B3D1 数据手册

与IXXH75N60B3D1相关器件

与IXXH75N60B3D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？