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IXXN200N60C3H1

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	229K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXXN200N60C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Sonic

Diode

IXXN200N60C3H1

V_CES= 600V

I_C110= 98A

V_CE(sat)≤ 2.1V

t_fi(typ)= 80ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

SOT-227B

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E c

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

E c

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

200

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1000

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 400

μs

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(DCB) Substrate

miniBLOC, with Aluminium Nitride

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

Isolation

P_C

T_C= 25°C

780

Optimized for Low Switching Losses

Isolated Mounting Surface

Anti-Parallel Sonic Diode

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for 20-60kHz Switching

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

Very High Current Capability

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Square RBSOA

Weight

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.0

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

50 μA

±200 nA

Note 1, T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.60

1.93

2.10

T_J= 150°C

DS100511A(02/13)

12 3 4 5 6 7 8

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