Datasheet > IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1

更新时间： 2024-10-02 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	229K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXXN200N60C3H1 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM600V IGBT

GenX3^TMw/ Sonic

Diode

IXXN200N60C3H1

V_CES= 600V

I_C110= 98A

V_CE(sat)≤ 2.1V

t_fi(typ)= 80ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

SOT-227B

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

E c

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

E c

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

200

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1000

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 400

μs

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Silicon Chip on Direct-Copper Bond

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(DCB) Substrate

miniBLOC, with Aluminium Nitride

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

Isolation

P_C

T_C= 25°C

780

Optimized for Low Switching Losses

Isolated Mounting Surface

Anti-Parallel Sonic Diode

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for 20-60kHz Switching

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

Very High Current Capability

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Square RBSOA

Weight

Advantages

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

6.0

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

50 μA

±200 nA

Note 1, T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

1.60

1.93

2.10

T_J= 150°C

DS100511A(02/13)

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IXXN200N60C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXN200N65A4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXN340N65B4	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP12N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP12N65B4D1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXP50N60B3	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXXP50N60B3	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
IXXQ30N60B3M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR100N60B3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXXR100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

与IXXN200N60C3H1相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1 数据手册

与IXXN200N60C3H1相关器件

与IXXN200N60C3H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXXN200N60C3H1

IXXN200N60C3H1 数据手册

与IXXN200N60C3H1相关器件

与IXXN200N60C3H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？