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IXXKX100N60C3H1

更新时间： 2024-11-18 11:08:11
品牌 Logo 应用领域
IXYS 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching

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IXXKX100N60C3H1 数据手册

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Preliminary Technical Information  
XPTTM 600V  
IXXK100N60C3H1  
IXXX100N60C3H1  
VCES = 600V  
IC90 = 100A  
VCE(sat) ≤ 2.20V  
tfi(typ) = 75ns  
GenX3TM w/ Diode  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-264 (IXXK)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
C
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
600  
600  
V
V
TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ  
Tab  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
PLUS247 (IXXX)  
IC25  
ILRMS  
IC90  
TC= 25°C ( Chip Capability )  
Terminal Current Limit  
TC = 90°C  
170  
120  
100  
65  
A
A
A
A
IF110  
TC = 110°C  
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
340  
A
G
C
Tab  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
50  
A
E
600  
mJ  
G = Gate  
C = Collector  
E
= Emitter  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 2Ω  
Clamped Inductive Load  
ICM = 200  
A
μs  
W
Tab = Collector  
(RBSOA)  
@VCE ≤ VCES  
tsc  
VGE= 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
(SCSOA)  
RG = 10Ω, Non Repetitive  
Features  
PC  
TC = 25°C  
695  
z Optimized for 20-60kHz Switching  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
z
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Short Circuit Capability  
Anti-Parallel Ultra Fast Diode  
z
z
-55 ... +150  
z
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
High Current Handling Capability  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-264)  
Mounting Force (PLUS247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
20..120 /4.5..27  
Advantages  
Weight  
TO-264  
PLUS247  
10  
6
g
g
z
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
600  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250μA, VGE = 0V  
IC = 250μA, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
z
5.5  
z
z
50 μA  
4 mA  
z
TJ = 125°C  
TJ = 150°C  
z
z
IGES  
VCE = 0V, VGE = ±20V  
±100 nA  
z
Lamp Ballasts  
VCE(sat)  
IC = 70A, VGE = 15V, Note 1  
1.68  
1.97  
2.20  
V
V
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100283A(01/11)  
1234567

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与IXXKX100N60C3H1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXXN100N60B3H1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN110N65B4H1 IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 650V V(BR)CES,
IXXN110N65B4H1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN110N65C4H1 LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXN200N60B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXN200N60B3H1 LITTELFUSE

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IXXN340N65B4 LITTELFUSE

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