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IXXP50N60B3

更新时间： 2024-11-21 21:12:11

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	284K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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IXXP50N60B3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220AB, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	120 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	320 ns	标称接通时间 (ton)：	75 ns
Base Number Matches：	1

IXXP50N60B3 数据手册

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXA50N60B3

IXXP50N60B3

IXXH50N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 1.80V

TO-263 (IXXA)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 5-30 kHz Switching

C (Tab)

TO-220 (IXXP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

120

TO-247 (IXXH)

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

200

I_A

E_AS

T_C= 25°C

200

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

μs

C (Tab)

(RBSOA)

@V_CE V_CES

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

(SCSOA)

R_G= 22, Non Repetitive

Features

P_C

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

^Optimized for 5-30kHz Switching

^Square RBSOA

^Avalanche Capability

-55 ... +175

^Short Circuit Capability

^International Standard Packages

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb.

Nm/lb.in.

Advantages

^High Power Density

^175°C Rated

^Extremely Rugged

^Low Gate Drive Requirement

^Easy to Parallel

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^Power Inverters

^UPS

^Motor Drives

^SMPS

^PFC Circuits

^Battery Chargers

^Welding Machines

^Lamp Ballasts

6.0

25 A

2 mA

T_J= 150C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.55

1.80

DS100301C(8/13)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXXQ30N60B3M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR100N60B3H1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS24
IXXR100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXR110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX100N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXX100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXX110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX140N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

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