是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | ISOPLUS | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.73 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 145 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 400 W | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 350 ns |
标称接通时间 (ton): | 92 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXSR40N60BD1 | IXYS |
功能相似 |
IGBT with Diode ISOPLUS 247 (Electrically Isolated Backside) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXXR110N65B4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXX100N60B3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX100N60C3H1 | IXYS |
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Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching | |
IXXX100N60C3H1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX100N75B4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代(GenX4?)Trench IG | |
IXXX110N65B4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXX140N65B4H1 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXX160N65C4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXX200N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX200N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |