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IXXR110N65B4H1

更新时间： 2024-01-22 18:18:44

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	294K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。此外，它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs

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IXXR110N65B4H1 数据手册

XPT^TM650V GenX4^TMIXXR110N65B4H1

w/ Sonic Diode

V_CES= 650V

I_C110= 70A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 43ns

(Electrically Isolated Tab)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

ISOPLUS247^TM

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

Isolated Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

165

G = Gate

E = Emitter

= Collector

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

490

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 2

Clamped Inductive Load

= 220

@V_C^C_E^M V_CES

Features

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

μs

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

2500V~ Electrical Isolation

Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

Short Circuit Capability

Anti-Parallel Sonic Diode

High Current Handling Capability

P_C

T_C= 25°C

455



T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



V_ISOL

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Force

2500 V

F_C

20..120/4.5..27

N/lb

Advantages

Weight



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

4.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



6.5



25 μA

μA

±100 nA



T_J= 150°C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V



V_CE(sat)

I_C= 110A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.72

2.05

2.10



High Frequency Power Inverters

DS100529D(4/19)

12 3 4 5 6 7...9

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IXXX100N60C3H1	IXYS	获取价格	Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching
IXXX100N60C3H1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX100N75B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的第4代（GenX4?）Trench IG
IXXX110N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXXX140N65B4H1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
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IXXX200N60B3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX200N60C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXXX200N65B4	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热

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