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IXYA24N100C4HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅极驱动双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 370K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。 具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYA24N100C4HV 数据手册

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Advance Technical Information  
1000V XPTTM  
GenX4TM IGBT  
VCES = 1000V  
IC110 = 24A  
VCE(sat)  2.3V  
tfi(typ) = 40ns  
IXYA24N100C4HV  
IXYP24N100C4  
High Speed IGBT  
for 20-50kHz Switching  
TO-263HV  
(IXYA..HV)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
E
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1000  
1000  
V
V
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
C (Tab)  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-220  
(IXYP)  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
76  
24  
132  
A
A
A
G
C
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 48  
A
μs  
W
E
C (Tab)  
(RBSOA)  
VCE 0.8 • VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 660V, TJ = 150°C  
8
G = Gate  
D
= Collector  
(SCSOA)  
RG = 50, Non Repetitive  
e = Emitter  
Tab = Collector  
PC  
TC = 25°C  
375  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
Features  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Optimized for Low Switching Losses  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220)  
Mounting Force (TO-263HV)  
1.13/10  
10..65 / 22..14.6  
Nm/lb.in  
N/lb  
International Standard Packages  
Weight  
TO-263HV  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
4.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
6.5  
25 A  
500 μA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 24A, VGE = 15V, Note 1  
1.86  
2.30  
2.30  
V
V
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100933A(9/18)  
12345678

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与IXYA24N100C4HV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYA30N120A4HV LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYA50N65C3 LITTELFUSE

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYA50N65C3-TRL IXYS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXYA8N250CHV LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYA8N90C3D1 IXYS

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 		900V XPTTM IGBT
IXYA8N90C3D1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYB82N120C3H1 IXYS

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN
IXYB82N120C3H1 LITTELFUSE

获取价格

 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYF16N250CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYF30N170CV1 LITTELFUSE

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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