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IXYA8N250CHV

更新时间： 2024-02-23 09:11:29

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	283K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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Advance Technical Information

High Voltage

XPT^TMIGBT

V_CES= 2500V

I_C110= 8A

V_CE(sat) 4.0V

t_fi(typ)= 86ns

IXYA8N250CHV

IXYH8N250CHV

TO-263HV (IXYA)

G

E

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

2500

2500

V

V

TO-247HV (IXYH)

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

29

8

70

A

A

A

G

E

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 15

Clamped Inductive Load

I_CM= 32

1500

A

V

C (Tab)

C

G = Gate

E = Emitter

C

= Collector

P_C

T_C= 25°C

280

W

Tab = Collector

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C



High Voltage Packages

High Blocking Voltage



M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.





High Peak Current Capability

Low Saturation Voltage

Weight

TO-263HV

TO-247HV

2.5

6.0

g

g

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Low Gate Drive Requirement

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

3.0

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V

V

5.0

Applications

10 A

T_J= 150C

T_J= 150C

3 mA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Laser Generators

Capacitor Discharge Circuits

AC Switches

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 8A, V_GE= 15V, Note 1

3.35

4.75

4.00

V

V







© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.

DS100835A(5/17)

12 3 4 5 6 7

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与IXYA8N250CHV相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYA8N90C3D1	IXYS	900V XPTTM IGBT	获取价格
IXYA8N90C3D1	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYB82N120C3H1	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, PLUS264, 3 PIN	获取价格
IXYB82N120C3H1	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYF16N250CV1	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格

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