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力特 - LITTELFUSE | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 286K | |
描述 | ||
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热阻、低能量损耗、快速切换、低尾电流和高电流密度等特点。 此外,它们在短路条件下表现出绝佳的强度——10μs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXXX200N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX200N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX200N65B4 | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 | |
IXXX300N60B3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXXX300N60C3 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA12N250CHV | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 | |
IXYA15N65C3D1 | IXYS |
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Preliminary Technical Information | |
IXYA15N65C3D1 | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA20N120C3HV | LITTELFUSE |
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该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT | |
IXYA20N120C4HV | LITTELFUSE |
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这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发,具有低热 |