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IXYA20N120C3HV

更新时间： 2024-11-19 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 254K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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IXYA20N120C3HV 数据手册

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1200V XPTTM  
VCES = 1200V  
IC110 = 20A  
VCE(sat)  3.4V  
tfi(typ) = 108ns  
IXYA20N120C3HV  
IXYP20N120C3  
IXYH20N120C3  
GenX3TM IGBTs  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-263HV (IXYA)  
G
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
C (Tab)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
1200  
1200  
V
V
TO-220 (IXYP)  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
C
Tab  
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
40  
20  
96  
A
A
A
E
TO-247 AD (IXYH)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
400  
mJ  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 10  
Clamped Inductive Load  
ICM = 40  
A
G
C
E
(RBSOA)  
@VCE VCES  
Tab  
=
PC  
TC = 25°C  
278  
W
G = Gate  
C
Collector  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
E = Emitter  
Tab = Collector  
Features  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
High Voltage Package  
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220 & TO247)  
Mounting Force (TO-263)  
1.13/10  
10..65 / 22..14.6  
Nm/lb.in.  
N/lb  
Avalanche Rated  
International Standard Packages  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-247  
2.5  
3.0  
6.0  
g
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1200  
3.0  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
5.0  
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
15 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
500 μA  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1  
3.4  
V
V
4.0  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100484B(02/13)  
1234567

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与IXYA20N120C3HV相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYA20N120C4HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的Trench IGBT工艺开发，具有低热
IXYA20N65B3 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYA20N65B3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYA20N65C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYA20N65C3D1 IXYS

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IXYA20N65C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYA24N100A4HV LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYA24N100C4HV LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,

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