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IXXX300N60B3

更新时间： 2024-11-21 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	247K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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Advance Technical Information

XPT^TM600V IGBTs

GenX3^TM

IXXK300N60B3

IXXX300N60B3

V_CES= 600V

I_C110= 300A

V_CE(sat)≤ 1.6V

t_fi(typ)= 95ns

Extreme Light Punch Through

IGBT for 10-30kHz Switching

TO-264 (IXXK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

G

C

E

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

600

600

V

V

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1MΩ

Tab

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

V

V

PLUS247 (IXXX)

I_C25

I_LRMS

I_C110

T_C= 25°C (Chip Capability)

Leads Current Limit

T_C= 110°C (Chip Capability)

550

160

300

A

A

A

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

1140

A

G

G

I_A

E_AS

T_C= 25°C

T_C= 25°C

100

500

A

C

Tab

E

mJ

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 600

A

μs

W

G = Gate

C = Collector

E

= Emitter

(RBSOA)

@V_CE≤ V_CES

Tab = Collector

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

10

(SCSOA)

R_G= 10Ω, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

2300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

°C

°C

z

Optimized for 10-30kHz Switching

Square RBSOA

International Standard Packages

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

High Current Handling Capability

z

z

z

z

z

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-264)

Mounting Force (PLUS247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

20..120 /4.5..27

Advantages

Weight

TO-264

PLUS247

10

6

g

g

z

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

z

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

V

V

z

Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

z

5.5

z

25 μA

2.5 mA

z

z

T_J= 150°C

z

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±200 nA

z

z

Lamp Ballasts

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 150°C

1.3

1.4

1.6

V

V

© 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved

DS100503(10/12)

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